Фотонные детекторыВ детекторах, которые используются в физике атомного ядра и частиц, нередко необходима регистрация фотонов небольших энергий (в видимом или около него диапазоне длин волн). Это, например, черенковские детекторы, сцинтилляторы, детекторы переходного излучения. Существуют различные типы фотонных детекторов.
Фотоэлектронные умножители (ФЭУ) Первый фотоэлектронный умножитель был создан в начале
1930-х годов
Л.
Кубецким (так называемая трубка Кубецкого). Для фокусировки и ускорения
электронов в ней использовалось магнитное поле. В современных ФЭУ для этих целей
в основном используется электростатическое поле. Впервые, в конце 1930-х,
фокусировку и ускорение электронов применил
Я. Рейчман.
С тех пор ФЭУ широко используются в физическом эксперименте.
Длительность переднего фронта токового импульса на аноде обычно несколько
наносекунд. На временное разрешение ФЭУ влияет также разброс
времени пролета электронов в динодной системе. Для улучшения
временных характеристик используются конструкции с небольшим путем
пролета электронов.
Для работы в магнитных полях
были сконструированы ФЭУ с сеточными динодами. В таких ФЭУ
фотоэлектрон, попав на динод, выбивает вторичные электроны, которые
вначале летят вверх, а затем возвращаются и проходят через отверстие
сеточного динода, попадая на следующий динод. Расстояние между
фотокатодом и первым динодом несколько мм, а между динодами
~1 мм. Из-за небольшого расстояния между катодом и
анодом временные характеристики таких ФЭУ хорошие,
чувствительность к магнитным полям относительно небольшая. Они
удовлетворительно работают до ~1.5 Тс.
Коэффициент усиления ФЭУ с сеточными динодами ~106.
Микроканальные пластиныМикроканальные пластины (МКП) имеют малые габариты, хорошие временное и пространственное разрешение, большой коэффициент усиления , меньшую по сравнению с обычными ФЭУ чувствительность к магнитным полям. Так у микроканальных пластин шевронного типа Н8500/Н9500 усиление 106, временное разрешение (FWHM) при счете отдельных фотонов меньше 30 пс. Они не чувствительны к аксиальным магнитным полям до 1.8 Тс.
В газовых фотонных детекторах фотоэлектрон за
счет ударной ионизации рождает в газообразной среде лавину вторичных
электронов. В принципе процессы умножения и сбора зарядов идентичны
процессам происходящим в многопроволочных
пропорциональных камерах. Площадь
газовых фотонных детекторов
может быть большой с суб-миллиметровой точностью локализации.
Временное разрешение газовых детекторов не хуже 1 нс.
Они могут
работать в сильных магнитных полях. Газовые
детекторы чувствительны к одиночным фотонам
в спектральном диапазоне от ультрафиолетового до видимого света. Они
имеют высокий коэффициент усиления (порядка
105).
В последнее время большое распространение
получили газовые фотодетекторы на основе ГЭУ.
По принципу работы ГФД на основе ГЭУ можно подразделить на детекторы
с полупрозрачным (рис. 4а) и непрозрачным (рис. 4б) фотокатодом.
В первом варианте катод фотодетектора представляет собой входное
окно, на которое нанесен полупрозрачный фоточувствительный слой.
Фотоэлектроны, рожденные на фотокатоде, движутся в дрейфовом
промежутке вдоль силовых линий и фокусируются в отверстия ГЭУ. в
которых под действием сильного электрического поля развиваются
электронные лавины. Таким образом, каждое отверстие ГЭУ представляет
собой независимый пропорциональный счетчик. Заметная часть
электронов лавины выходит из отверстия в газовый промежуток для
усиления в последующем усилительном каскаде. В варианте с
непрозрачным фотокатодом входное окно прозрачно, катод выполняется в
виде сетки, а пленочный фотокатод наносится прямо на электрод
первого ГЭУ.
По сравнению с вакуумными
и газовыми фотонными детекторами твердотельные
устройства более компактны, легки, прочны, устойчивы к магнитным полям, а
зачастую и дешевле. С ними легко организовать пикселизация,
легко интегрировать в большие системы Они
могут работать при низких электрических потенциалах. PIN-фотодиоды
Для увеличения обедненной (чувствительной к появлению
ионизирующих частиц) области, т.е. области, где нет свободных зарядов используют
высоколегированные полупроводники. Такие диоды называются
pin-диодами. В них создается n+-р-р+
-переход (+ означает сильное легирование). Внутренняя
часть полупроводника (р-область)
зажата между двумя сильно легированных n+ и р+
областями, где происходит основное изменение потенциала
и электрическое поле возникает почти по всей глубине образца.
Обратное смещение позволяет увеличить толщину обедненной области. Лавинные фотодиодыУвеличение чувствительности твердотельных фотонных детекторов связано с использованием лавинных фотодиодов (ЛФД). Лавинное умножение достигается за счет увеличения напряжения Есм до величины, близкой к пробойному. При этом на p-n переходе устанавливается очень сильное электрическое поле (Е > 105 В/см). Под действием поля свободный носитель заряда (электрон или дырка) приобретает энергию, достаточную для ионизации нейтрального атома и освобождения еще одной электронно-дырочной пары, причем такой процесс может повторяться неоднократно. Для размножения дырок необходима бóльшая напряженность электрического поля, чем для размножения электронов. На самом p-n переходе при подаче соответствующего напряжения возможно достижение стабильного умножения электронов притом, что лавинного умножения дырок не происходит. Как правило, максимальное усиление, которое возможно достичь в такой структуре, колеблется от 10 до 200.
Разработаны и используются
различные типы лавинных фотодиодов. Так в
электромагнитном калориметре ECAL
детекторного комплекса CMS используются ЛФД чувствительные к
коротковолновой части спектра (рис. 6). Фотоны голубого света
поглощаются в первых нескольких микронах
кремния, а ультрафиолетового – в долях
микрона, поэтому для регистрации
коротковолновой части спектра ЛФД должен
иметь в качестве чувствительной части
поверхостный слой кремния. Для этого
специально создается дополнительныи слой, в
котором сначала образуется фотоэлектрон,
который идет вглубь к зоне p-n
перехода и попадает в зону лавинного умножения. Микропиксельные лавинные фотодиодыВ лавинных фотодиодах с пиксельной структурой каждый пиксель представляет собой счетчик единичных фотонов, но весь MAPD представляет собой аналоговый детектор, так как выходной сигнал MAPD есть сумма сигналов со всех пикселей, сработавших при поглощении ими фотонов. Такие микропиксельные лавинные фотодиоды способные регистрировать малые интенсивности света (на уровне нескольких десятков и даже единичных фотонов), при этом обладая высоким коэффициентом внутреннего усиления ~106 и даже до ~108.
Лавинные фотодиоды с пиксельной структурой имеют малый разброс коэффициента усиления от пикселя к пикселю (около 10%) и, как следствие, низкие шумы; невысокую чувствительность коэффициента усиления к изменению температуры и напряжения питания; эффективны при регистрации видимого света на уровне вакуумных ФЭУ; позволяют регистрацию наносекундных вспышек света без искажения формы детектируемого импульса; могут работать, как в режиме счета импульсов, так и в спектрометрическом режиме; имеют хорошее временное разрешение (десятки пикосекунд); не требуют высокого напряжения питания; нечувствительны к магнитному полю; компактны.
Гибридные фотонные детекторы совмещают
чувствительность ФЭУ с отличным пространственным и энергетическим
разрешением кремниевых детекторов. На рис. 8 показан принцип
действия гибридного детектора. Вылетающий из фотокатода фотоэлектрон
ускоряется в электрическом поле 12-20 кВ и попадает на
сегментированный анод – кремниевый сенсор (лавинный
диод).
В кремниевом сенсоре, вблизи его
поверхности происходит образование
электронно-дырочных пар. Практически вся
кинетическая энергия фотоэлектрона тратится на образование
электронно-дырочных пар, т.е. в зависимости от ускоряющего
напряжения образуется ~3000-5000 пар.
Если в качестве кремниевого сенсора используется
лавинный диод, в нем происходит дополнительное усиление в ~100
раз. В итоге коэффициент усиления гибридного фотонного детектора
может достигнуть ~105, временное
разрешение десятки пс, в то время как у лучших ФЭУ ~200
пс.
* В литературе можно встретить различные названия таких фотодиодов: MAPD (Mircopixels Avalanche PhotoDiode), SiPM (Silicon PhotoMultiplier), MPGM APD (Multipixel Geiger-mode Avalanche PhotoDiode), SSPM (Solid State PhotoMultiplier), DPPD (Digital Pixel PhotoDiode), MCPC (MicroCell Photon Counter), MAD (Multicell Avalanche Diode). Литература
Последние изменения 14.11.2016. |