Туннельный эффект
Tunneling effect
Туннельный эффект
(туннелирование) – прохождение частицы (или системы) сквозь область
пространства, пребывание в которой запрещено классической механикой. Наиболее
известный пример такого процесса – прохождение частицы сквозь потенциальный
барьер, когда её энергия Е меньше высоты барьера U0. В классической
физике частица не может оказаться в области такого барьера и тем более пройти
сквозь неё, так как это нарушает закон сохранения энергии. Однако в квантовой
физике ситуация принципиально другая. Квантовая частица не движется по какой-либо
определенной траектории. Поэтому можно лишь говорить о вероятности нахождения
частицы в определенной области пространства ΔрΔх > ћ.
При этом ни потенциальная, ни кинетическая энергии не имеют определенных
значений в соответствии с принципом неопределенности. Допускается отклонение
от классической энергии Е на величину ΔЕ в течение интервалов
времени
t,
даваемых соотношением неопределённостей ΔЕΔt > ћ
(ћ = h/2π, где h – постоянная Планка).
Возможность прохождения частицы сквозь потенциальный барьер обусловлена
требованием непрерывной волновой функции на стенках потенциального барьера.
Вероятность обнаружения частицы справа и слева связаны между собой соотношением,
зависящим от разности E - U(x) в области потенциального барьера и от ширины
барьера x1 - x2 при данной энергии.
С увеличением высоты и ширины барьера вероятность
туннельного эффекта экспоненциально спадает. Вероятность туннельного эффекта
также быстро убывает с увеличением массы частицы.
Проникновение сквозь барьер носит вероятностный характер. Частица
с Е < U0, натолкнувшись на барьер, может либо пройти сквозь него,
либо отразиться. Суммарная вероятность этих двух возможностей равна 1. Если
на барьер падает поток частиц с Е < U0, то часть этого
потока будет просачиваться сквозь барьер, а часть – отражаться. Туннельное
прохождение частицы через потенциальный барьер лежит в основе многих явлений
ядерной и атомной физики: альфа-распад, холодная эмиссия электронов из металлов,
явления в контактном слое двух полупроводников и т.д.
См. также
|